(종합) 삼성전자, 中시안에 7조8000억 투자… 낸드 1위 굳히기 나섰다

입력 2017-08-28 19:32
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▲삼성전자 평택캠퍼스 반도체 생산라인 외경(평택1라인).(사진제공=삼성전자)
▲삼성전자 평택캠퍼스 반도체 생산라인 외경(평택1라인).(사진제공=삼성전자)

삼성전자가 급증하는 낸드플래시 수요와 시장 지배력 강화를 위해 중국 시안에 70억 달러(약 7조8000억 원)를 투자해 낸드플래시 메모리 공장을 추가 건설한다.

삼성전자는 중국 시안에 있는 ‘삼성 중국 반도체(SCS)’ 법인의 낸드플래시 메모리 증설에 향후 3년 간 70억 달러를 투자하는 방안을 추진 중이라고 28일 공시했다.

이날 권오현 DS(부품)부문 부회장과 윤부근 CE(생활가전)부문 사장, 신종균 IM(IT모바일)부문 사장 등 삼성전자 사내이사 3명으로 구성된 경영위원회는 자본금 23억 달러(약 2조6000억 원)에 대한 출자를 승인했다.

삼성전자는 이르면 올 하반기 중 시안 2라인 착공에 들어갈 예정이며, 이르면 2019년 말 가동을 시작할 계획이다. 2014년부터 가동 중인 시안 공장은 웨이퍼 기준으로 월 12만 장 수준의 3D 낸드플래시를 생산한다. 신설하는 공장에선 월 10만 장 수준의 웨이퍼를 생산할 것으로 보인다.

업계에서는 삼성전자의 이번 중국 투자 결정이 일본 도시바의 몰락에 따른 낸드플래시 시장 재편에 선제적으로 대응하기 위한 것으로해석하고 있다. 도시바메모리의 새로운 우선협상대상자로 알려진 미국의 웨스턴디지털(15.8%)이 중장기적으로 도시바(16.1%)의 시장점유율을 흡수할 경우 낸드플래시 시장에서 삼성전자(38.3%)와 비슷한 점유율을 갖게 되기 때문이다.

또 낸드플래시 최대 수요처인 중국시장 변화에 대응하기 위한 ‘규모의 경제’ 구축이라는 해석도 나온다. 중국은 세계 메모리 반도체의 60%를 구매하는 최대 시장이자 삼성전자 반도체 최대 고객이다.

그간 삼성전자는 총수 부재로 인해 투자계획을 제대로 내놓지 못했으나, 반도체 초호황 타이밍에 대응하기 위해 반도체 부문부터 투자계획을 세웠다. 삼성전자는 2021년까지 반도체와 디스플레이 분야에 총 37조 원을 투자할 계획이었다. 이번에 추가 투자를 확정하면서 투자 규모는 더욱 늘어났다.

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