V낸드 검색결과 - 이투데이

검색결과 총378건

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삼성전자, 생성형AI 서버용 SSD 공개…이전 제품 대비 성능 1.7배 향상

SSD는 전원이 꺼져도 저장한 정보가 사라지지 않는 메모리인 낸드플래시를 여러 개 탑재한 반도체다. PM1753은 생성형 AI 추론과 학습에 사용되는 서버용 SSD로, 데이터 처리 속도와 전력 효율 개선을 극대화한 저장장치다. PM1753은 삼성전자가 3년 만에 내놓는 서버용 SSD다. 2021년 12월 공개한 PM1743과 비교하면 전력 효율과 성능이 각각 최대 1.7배...

2024-08-07 09:41
그로쓰리서치 "티씨케이, 3D 낸드 공정 수요 증가에 따른 수혜 기대"

그로쓰리서치는 1일 티씨케이에 대해 3D 낸드(NAND) 수요가 증가하고, 반도체 식각 공정의 중요성이 두드러짐에 따라 수혜를 볼 수 있다고 분석했다. 티씨케이는 반도체 및 태양전지, 발광다이오드(LED)용 부품을 전문적으로 제조하는 기업으로, 구체적인 제품으로는 반도체 소재 부품인 솔리드 실리콘 카바이드(Solid SiC) 웨이퍼, Ring 등이 있다. 김주형...

2024-08-01 08:57
"용량 두 배 늘었다"…삼성전자, 1TB 마이크로SD 카드 2종 출시

이 제품은 업계 최고 용량인 1Tb(테라비트) 트리플레벨셀(TLC) 8세대 V낸드를 8단으로 쌓아 패키징해 테라바이트급 고용량을 구현하고, 제품 내구성을 강화했다. 삼성전자가 2015년에 처음 출시한 프로 플러스와 에보 플러스 라인업은 용량, 속도, 안정성, 호환성을 모두 갖춘 마이크로SD 카드다. 게임 콘솔, 드론, 액션 카메라, 태블릿 등 마이크로SD 카드 슬롯이...

2024-08-01 08:31
"삼성전자, AI 추론 시장과 함께 성장할 메모리 실적…목표가↑"

키움증권은 8일 삼성전자에 대해 하반기 9세대 V-낸드(NAND) 기반 QLC 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)와 1bnm 기반 128GB 서버 메모리모듈(DIMM) 판매가 본격화할 것으로 관측했다. 목표주가를 기존 11만 원에서 12만 원으로 상향하고 투자의견 ‘매수’를 유지했다. 박유악 키움증권 연구원은 “하반기는 삼성전자 전사 수익성 개선에 힘이 더해지는 시기가 될...

2024-07-08 08:41
HBM 다음 기술 찾는 삼성… 파운드리·낸드서도 새 기회 발굴 [재도약 나선 삼성전자]

국내외 삼성 파운드리 포럼서 협력 강화 논의'메모리-생산-패키징' 턴키 솔루션 전략 강화CXLㆍ9세대 V낸드 등 AI 향 제품 개발 가속화 반도체 사업에서 반등을 노리는 삼성전자가 새로운 돌파구를 마련하기 위해 총력을 다하고 있다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 패키징 등 모든 서비스를 제공할 수 있는 유일한 기업인 만큼, 한 가지 사업에 집중하기보다...

2024-06-27 06:00
[단독] 낸드 차세대 시장 연다… 삼성전자, 하반기 9세대 탑재 SSD 신제품 출시

확대되는 생성형 AI 시장, 고성능·대용량 SSD 필수'9100 프로'·'990 에보(EVO) 플러스'로 AI 수요 공략9세대 V낸드, '9100 프로'에 탑재될 전망… 소비자용으로 처음 삼성전자가 하반기 솔리드스테이트드라이브(SSD) 신제품을 내놓고 인공지능(AI)으로 수요가 높아진 낸드 차세대 시장 공략에 나선다. 20일 본지 취재에 따르면 삼성전자는 소비자용 SSD 신제품...

2024-06-20 10:03
“HBM에 낸드까지 쌍끌이 상승”…삼성·SK, 2분기 실적도 ‘파란불’

삼성전자 DS, '3~4조 원' 영업이익 전망SK, 4.7조 원...18년 3분기 이후 최대 기대 낸드플래시 역시 기업용 SSD 중심 판매 ↑ 삼성전자와 SK하이닉스가 1분기에 이어 2분기에도 실적 호조세를 이어갈 전망이다. 인공지능(AI) 시장의 급격한 성장으로 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 크게 확대됐고, 그간 주춤했던 낸드 역시 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를...

2024-06-17 16:05
“HBM·파운드리 모두 지지부진”… 수장 바꾼 삼성전자, 반도체 얼마나 위기길래

삼성전자는 고성능 낸드플래시 제품 개발에도 적극적으로 나서고 있다. 지난달 업계 최초로 290단 수준의 1Tb(테라비트) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드 양산을 시작했다. 하반기에는 쿼드레벨셀(QLC) 기반 제품도 개발할 계획이다. QLC 제품은 TLC보다 하나의 셀에 더 많은 데이터를 기록할 수 있어 저장 성능이 대폭 향상된다. 현재웅 삼성전자 상품기획실 상무는...

2024-05-21 13:54
"하반기 QLC 낸드 개발"…삼성전자, AI 시대 'V낸드' 선점 가속화

삼성전자가 하반기 중 쿼드레벨셀(QLC) 기반 V낸드플래시 제품을 개발한다. 인공지능(AI) 시대 늘어나는 고용량 스토리지 솔루션 수요에 적극적으로 대응하겠다는 목표다. 현재웅 삼성전자 상품기획실 상무는 21일 삼성전자 뉴스룸에 공개된 V낸드 기획·개발 담당 임원 인터뷰에서 "인공지능(AI)용 고용량 스토리지 서버에 관심이 높아지고 있다"며...

2024-05-21 10:19
"낸드서도 초격차 넓힌다"…삼성전자, 업계 최초 290단 '9세대 V낸드' 양산

업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산 성공차세대 인터페이스 적용 등으로 기술 리더십SK하이닉스ㆍ마이크론 등 낸드 적층 경쟁 심화 삼성전자가 낸드 시장에서 업계 최초로 '1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다. 인공지능(AI) 시대가 본격적으로 확장함에 따라 삼성전자는 고용량·고성능 제품을 개발해 시장 초격차를 넓힐...

2024-04-23 14:27
"낸드 리더십 강화"…삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산

업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산'채널 홀 에칭' 기술로 업계 최대 단수 뚫어 삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 또한 더미 채널 홀 제거 기술로...

2024-04-23 11:00
삼성전자 “반도체, 2~3년 내 세계 1위 탈환… 모든 기기에 AI 적용” [종합]

또 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 또 삼성전자는 AI 반도체 시장의 판도를 바꿀 새로운 칩 ‘마하-1’을 개발 중이라고 밝혔다. GPU와 HBM 사이의 병목현상을 줄여주는 SoC(시스템온칩) 형태의 AI 가속기로, 연말 시제품 양산이...

2024-03-20 15:09
삼성전자 "모든 기기에 AI 적용…반도체, 2~3년 내 세계 1위 되찾을 것"

또 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(Radio Frequency) 등...

2024-03-20 11:45
삼성전자, 고성능·고용량 SD 익스프레스 마이크로SD 카드 개발

부진했던 낸드 플래시 시장이 점차 반등할 조짐이 보이고 있어 신제품을 내놓고 수요 선점에 나서겠다는 전략이다. 삼성전자는 업계 최초로 고성능 SD 익스프레스 인터페이스 기반의 마이크로SD 카드를 개발하고 고객사에 샘플 제공을 시작했다고 28일 밝혔다. 삼성전자 관계자는 "저전력 설계 기술과 펌웨어 최적화로 발열 등 마이크로SD 폼팩터...

2024-02-28 11:00
"3D D램 개발 박차"…삼성전자, 美에 R&D 조직 신설

행사에서 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입한다고 밝히기도 했다. 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서도 3D D램 연구성과가 담긴 논문을 발표했다. 한편 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 바 있다. 이러한 경험을 토대로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발에 나설 계획이다.

2024-01-28 15:32
“3040 젊은피에 여성·외국인 다양성까지”…삼성, 임원 승진자 면면 살펴보니

이외에도 D램 미세공정 양산성 확보에 크게 기여한 박세근(49) DS부문 메모리사업부 D램 PA1팀 부사장과 9세대 V낸드 완성도를 높인 황희돈(49) DS부문 CTO 반도체연구소 플래시공정개발팀 부사장 등이 승진했다. 삼성전자는 여성과 외국인 임원도 적극적으로 발탁하면서 다양성을 갖춘 조직문화를 꾀했다. 이번 여성 신임 임원은 6명, 외국인 신임 임원은...

2023-11-29 14:35
삼성전자, 임원 인사…30~40대 상무·부사장 과감한 발탁

V낸드 개발 및 사업화를 주도했고, 9세대 V낸드 개발을 위한 회로 요소기술 확보에 기여 △김일룡 DS부문 S.LSI사업부 제품기술팀장 부사장(49세) Logic 공정 기술 전문가로 설계-공정 최적화를 통한 선단공정 안정성 확보, 수율 개선 등으로 S.LSI 제품 경쟁력 강화에 기여 삼성전자는 소프트웨어 혁신을 주도해온 전문가와 차기 신기술분야 우수인력을...

2023-11-29 09:43
경계현 삼전 대표 반도체의 날 금탑 훈장 수훈…반도체 산업 공로자 82명 포상

경 대표는 세계 최초 V낸드 기술 개발을 통한 3차원 메모리 시장 창출로 연 매출 낸드 20조 원, SSD 10조 원 달성 등 반도체 산업 생태계 구축과 국가 반도체 기술 R&D 역량 강화에 기여한 공로를 인정받았다. 은탑 산업훈장과 동탑 산업훈장은 각각 정지완 솔브레인홀딩스 회장, 이병기 SK하이닉스 부사장에게 돌아갔다. 정 회장은 CVD·ALD용 박막재료, CMP슬러리...

2023-10-26 11:00
삼성전자, 美서 "초거대 AI 시대…HBM 등 신기술로 시장 선도"

삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이다. 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보한 상태다. 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 했다. 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램...

2023-10-21 03:00
이정배 삼성전자 사장 "반도체 직접도 극한 수준까지…고객 맞춤형 제품도 만들 것"

이정배 삼성전자 사장이 "D램과 낸드플래시 직접도를 극한 수준으로 높여나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해나갈 것"이라고 말했다. 이 사장은 17일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 이같이 밝혔다....

2023-10-17 13:39

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