[R&D 백년대계] 삼성전자, 지난해 연구·개발비 21조 원 사상 최대

메모리 첨단 공정 전환…반도체·디스플레이 증설 투자 확대

▲삼성전자가 지난해 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다. 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급 LPDDR5 모바일 D램이 생산된다. 삼성전자 평택캠퍼스 전경 (사진제공=삼성전자)

삼성전자는 코로나19로 불확실한 경영환경에도 불구하고 연구개발과 시설투자에 지속적으로 투자를 집행하며 미래기술 혁신을 위한 끊임없는 도전을 지속하고 있다.

삼성전자의 지난해 연구ㆍ개발(R&D) 비용은 21조2000억 원으로, 전년 대비 1조 원 증가하며 사상 최대를 기록했다. 또한, 지난해 시설투자는 38조5000억 원으로, 전년 대비 11조6000억 원 증가했다. 삼성전자는 메모리 첨단 공정 전환과 반도체·디스플레이 증설 투자 등 주력 사업 경쟁력 강화를 위해 지속 투자하고 있다.

삼성전자는 올해 선단 공정 기술 리더십을 강화하고 차별화된 제품을 개발해 반도체 시장에서의 우위를 확고히 할 계획이다.

메모리는 4세대 10나노급 D램, 7세대 V낸드 개발로 선단 공정에 대한 기술 격차 확대에 주력하는 한편, 데이터 센터와 HPC 등 고성장 시장 선점을 위한 제품 차별화로 주도권을 확보해 나갈 계획이다.

파운드리는 5나노 2세대에 이어 3세대를 양산하고 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(Gate All Around) 개발로 3나노 이하 초미세 공정 기술의 리더십을 강화할 계획이다. 또, 생산능력 확대와 생산 효율을 극대화해 물량 적기 공급에 주력하고, 고객을 다변화해 사업을 지속 성장시켜 간다는 방침이다.

시스템 LSI는 시스템온칩(SoC) 성장 기반을 확고히 하고, 픽셀 기술 차별화와 공급 역량 강화로 이미지센서 사업 1등 기반을 확보할 계획이다. 향후 본격 성장이 예상되는 AI·5G 등 신성장 사업을 주도하기 위한 기술 개발 활동도 지속 강화한다.