5D 및 3D SiP(System in Package) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다”고 말했다.
이어 “HBM4E(7세대)부터는 고객 맞춤형 성격이 강해질 것으로 예상돼 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다”고 했다.
SK하이닉스는 HBM4E(7세대)부터 1c를 적용할 예정인데, 계획대로라면 삼성전자가 먼저 차세대 기술을 도입하게 되는 셈이다.
HBM 생산량을 늘리기 위한 투자도 확대하고 있다. 당초 삼성전자는 경기 평택사업장 신규 팹인 P4에 낸드 생산라인을 구축하려 했으나, HBM 등을 생산하는 D램 라인으로 전환하는 방안을 검토하고 있다. 삼성전자는 올해 HBM 물량을 전년...
HBM 시장 1위인 SK하이닉스는 HBM4까지는 1b를 사용하고, HBM4E(7세대)부터 1c를 적용할 예정이다.
내년 '4F 스퀘어’ 기술을 적용한 D램 초기 샘플을 볼 수 있는지에 대한 질문에는 “(고개를 끄덕이며) 잘 개발하고 있다”고 말했다. 4F 스퀘어는 트랜지스터 구조를 수평이 아닌 수직으로 쌓아 올리는 차세대 기술이다. 수평 구조 대비 더 많은 정보를 처리할 수...
최근 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)'에서 SK하이닉스는 "HBM 1세대가 개발된 후 2년 단위로 세대가 발전해왔지만 HBM3E부터는 1년 단위로 세대가 변하고 있다"며 내년에는 HBM4를, 2026년에는 7세대인 HBM4E를 개발한다는 새로운 로드맵을 시사했다.
삼성전자는 엔비디아에 안정적으로 HBM을 공급하는 게 과제다. 삼성은 현재 HBM 전담팀에 400여 명의...
SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리인 HBM4E를 당초 계획보다 1년 앞당긴 2026년 양산할 계획이다.
13일 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이같은 로드맵을 밝혔다.
김 팀장은 “그동안 HBM은 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고...
회사는 향후에도 고대역폭 기반의 HBM4와 4E, 저전력 측면의 LPCAMM, 용량 확장을 위한 CXL과 QLC 스토리지, 그리고 정보처리 개선을 위한 PIM까지 혁신을 지속하며 ‘AI 시대 새장을 여는 선도 메모리 기업’으로 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.
곽 사장은 "SK하이닉스는 기존 AI 메모리를 통해 고객에게 새로운 경험을 제공해 왔다"며...