7일 업계에 따르면 대만 디지털 전문 매체 디지타임즈는 최근 중국 메모리 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 2세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM2의 대량 양산을 시작했다고 보도했다. 애초 CXMT는 HBM2를 2026년 양산할 계획이었는데, 약 2년을 앞당긴 셈이다. CMXT는 일찍이 미국과 일본 업체로부터 HBM 생산에 필요한 장비를 공급받은 것으로 알려졌다.
CXMT가 HBM2를...
삼성전자는 업계 최소 두께인 12나노미터(㎚, 1㎚=10억분의 1m)급 LPDDR5X D램 12·16기가바이트(GB) 패키지 양산을 시작했다고 6일 밝혔다. 이 제품의 두께는 0.65㎜다. 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다.
삼성전자는 업계 최소 크기 12㎚급 LPDDR D램을 4단으로 쌓고 패키지 기술, 패키지 회로 기판 및 반도체 회로 보호재(EMC) 기술 등 최적화를 통해 이전 세대...
12∙16GB 패키지 두께 '0.65㎜'전 세대 제품 대비 두께 약 9% ↓
삼성전자가 업계 최소 두께 12나노미터(㎚, 1㎚=10억분의 1m)급 저전력 더블데이터레이트(LPDDR)5X D램 12∙16GB(기가바이트) 패키지 양산을 시작했다고 6일 밝혔다.
이번 제품의 두께는 0.65㎜로, 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다.
삼성전자는 업계 최소 크기 12㎚급 LPDDR D램을 4단으로 쌓고...
또 GAA(Gate All Around) 2나노 공정 프로세스 설계 키트 개발·배포를 통해 고객사들이 본격적으로 제품 설계를 진행 중이며, 2025년 2나노 양산을 위한 준비도 계획대로 추진하고 있다.
디바이스경험(DX) 부문은 매출 42조700억 원, 영업이익 2조7200억 원을 기록했다.
스마트폰을 담당하는 모바일 경험(MX)은 2분기 스마트폰 시장 비수기가 이어지며 매출이...
또 게이트올어라운드(GAA) 2나노 공정 프로세스 설계 키트 개발·배포를 통해 고객사들이 본격적으로 제품 설계를 진행 중이며, 2025년 2나노 양산을 위한 준비도 계획대로 추진하고 있다.
하반기에도 주요 클라우드 서비스 공급자와 일반 기업체의 AI 서버 투자가 확대됨에 따라 시장 내 AI 서버 구축을 위해 HBM·DDR5·SSD 등 서버용 메모리 제품의 수요 강세가...
정 부사장은 “보편적으로 사용되는 것보다 높은 이온전도도를 가진 황화물계 조성물을 가지고 있고, 독자적인 나노 코팅 기술을 통해 저항을 줄이고 수명을 늘릴 수 있다”며 “고급형 전기차와 선박에 활용될 것으로 기대된다”고 설명했다.
전기차 외 시장을 공략하기 위한 차세대 배터리 개발에도 힘쓴다. LG에너지솔루션은 리튬황 배터리를 탑재한...
최신 3나노미터(㎚, 1㎚=10억분의 1m)나 4㎚ 공정으로 만들어 질 것”이라고 덧붙였다.
그는 향후 소형언어모델(SLM) 시장에 대한 장밋빛 가능성도 점쳤다. 현재 인공지능(AI) 기술은 오픈AI의 챗GPT 등 대규모언어모델(LLM) 중심으로 빠르게 성장하고 있는데, 이보다 작은 규모에 대한 시장의 니즈도 생기고 있다는 것이다.
한 대표는 “챗GPT 3 등 이미 사이즈가...
5D) 패키지 기술 경쟁력을 바탕으로 3나노미터(㎚·10억 분의 1m) 이하 선단 공정 서비스를 강화한다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술이다 기존 핀펫(FinFET) 대비 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율이 높다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 적용한 3㎚ 양산에...
송 사장은 3일 경기도 일산 킨텍스에서 열린 ‘나노코리아 2024’에서 기자들과 만나 “D램도 결국 낸드처럼 3D로 가야한다고 생각한다”며 이같이 밝혔다.
3D D램은 저장공간(셀)을 수평이 아닌 수직으로 쌓아 만든 메모리다. D램 완제품을 여러 개 쌓은 고대역폭 메모리(HBM)와는 차이가 있다. 기존 D램 구조와 비교해 셀을 더 많이 넣을 수 있고, 전류 간섭 현상이...
SK하이닉스는 올해 3월 세계 최초로 5세대 HBM인 ‘HBM3E’ 양산과 고객사 납품을 시작하며 AI 메모리반도체 시장을 선도하고 있다.
최 회장은 새너제이의 인텔 본사에서 팻 겔싱어 CEO를 만나 반도체 분야에서의 협력 방안을 논의했다. 두 사람은 AI 시대를 맞아 첨단 반도체 제조 협력을 확대하는 방안 등을 모색했다.
SK하이닉스는 인텔과의 협업으로...
기술적인 측면에서는 무리하게 1나노미터(㎚·10억 분의 1m) 선단 공정을 앞당기기 보다는 완성도를 높이는 전략을 택했다.
특히 세계 최초로 적용한 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 기술을 더 강화해 3㎚ 이하 선단 공정 경쟁력을 높일 계획이다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린...
신경망처리장치(NPU) 기업 딥엑스는 하반기 삼성 파운드리의 5나노미터(㎚·10억 분의 1m) 공정을 활용해 로봇과 보안 시스템에 특화된 차세대 솔루션 ‘DX-M1’을 양산한다. 딥엑스는 앞서 2022년 해당 칩에 대해 삼성 파운드리의 MPW 서비스를 지원받은 바 있다. 결국 스타트업에 대한 초기 투자가 성공해 고객으로 정착하게 된 셈이다. 삼성전자는 올해 MPW 지원...
앞서 TSMC는 2021년 3나노 공정 시험 양산을 시작으로 2022년 하반기부터 지난해 초까지 이를 위한 양산체제를 구축했다. 5나노 칩은 미국 행정부가 우려했던 ‘최첨단 AI 칩’과는 상대적으로 거리를 두고 있는 셈이다.
로이터는 익명을 요구한 소식통의 발언을 통해 “바이트댄스가 기존 비즈니스 파트너인 브로드컴과 제휴하게 돼 조달 비용을 절감하는...
사실상 인공지능(AI) 반도체도 TSMC의 협력 없이는 엔비디아 등이 자체 개발한 칩을 양산할 수 없다는 평가를 받는다. 이 때문에 최근 AI 반도체 수요가 급증하면서 자연스럽게 TSMC도 수혜주로 부각됐다. 이미 엔비디아는 AI 붐에 힘입어 3조 달러에 안착한 상태다.
TSMC 주가는 올해 들어서만 72% 넘게 올랐다. 이에 월가에서는 TSMC가 무난하게 시총 1조 달러를...
삼성전자가 2022년 6월 최초로 이 기술을 적용해 3㎚ 양산에 성공했다. 삼성전자는 2027년 1.4㎚ 공정 양산을 목표로 성능과 수율을 높이는 데 집중하고 있다.
향후 3㎚ 이하가 파운드리 시장을 주도할 것으로 전망되는 만큼 삼성전자는 GAA에서 초격차를 벌릴 계획이다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 2023년부터 2026년까지 3㎚ 이하 연평균 성장률은 65.3%로...
27년, BSPDN 2나노(SF2Z) 및 1.4나노 양산4나노 공정(SF4U) 공개…2025년 양산 계획파운드리ㆍ메모리ㆍAVP 턴키 서비스 강화
삼성전자가 최선단 파운드리 서비스 강화를 위해 신기술을 적용한 2나노미터(㎚·10억 분의 1m) 공정을 2027년까지 도입한다.
삼성전자는 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최하고 이러한 전략을...
GAA를 적용해 3㎚ 반도체 양산에 성공한 건 삼성전자가 유일하다.
리사 수 CEO는 최근 대만 타이베이에서 열린 ‘컴퓨텍스 2024’ 행사에서도 국내 기업들과 협업을 강화하기 위해 연내 방한하겠다고 밝혔다.
AMD 이외에도 르네 하스(Rene Haas) ARM CEO, 조나단 로스(Jonathan Ross) 그로크 CEO 등 삼성전자 주요 고객사 임원들도 연사로 나서 향후 협력 계획을 소개할...
2025년에는 3nm(나노미터·1nm=10억분의 1m) 공정으로 제조하는 MI350, 2026년에는 MI400도 출시할 예정이다.
수 CEO는 경쟁사인 엔비디아의 H200을 겨냥하며 “‘MI325X’는 이보다 2배 더 많은 메모리를 확보하고 30% 더 빠른 컴퓨팅 속도를 제공한다”고 강조했다.
앞서 젠슨황 엔비디아 CEO도 컴퓨텍스 테크 콘퍼런스 기조연설에서 차세대 AI 플랫폼 ‘루빈...
예컨대 2016년 삼성전자가 10나노급 1세대(1x) D램을 업계 최초로 개발하면, 다음해인 2017년 SK하이닉스가 따라잡고, 다시 그해 삼성전자가 10나노급 2세대(1y) D램을 업계 최초로 공개하면 2019년에 따라잡는 식이었다. 삼성전자는 늘 ‘업계 최초 양산’ 타이틀을 달았고, SK하이닉스는 짧으면 1년, 길면 2~3년씩 늦게 개발했다.
그러나 최근 이 판도가 깨졌다....
황 수석 공장장은 “올해 자사의 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 생산능력이 지난해보다 3배 늘어났지만, 여전히 공급이 수요를 따라가지 못하고 있다”고 설명했다.
그는 패키징 공장인 타이중 5공장(AP5)은 2025년부터 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWos)라는 첨단 공정을 이용한 양산에 들어가고, 자이 7공장(AP7)은 2026년부터 CoWos와 SoIC(System On...