트랜지스터 검색결과

검색결과 총727건

최신순 정확도순

[특징주] 퀄리타스반도체, 세계 최초 '2nm MIPI 솔루션' 美 팹리스 업체 공급 소식에 강세

GAAFET 공정은 기존의 FinFET 공정보다 트랜지스터의 전류 접촉면을 4개로 확장해 성능을 대폭 개선한 차세대 기술로 평가받는다. 모든 면이 게이트와 접촉하는 구조를 통해 전류량이 증가하며, 이를 통해 반도체 칩의 소형화와 전력 효율성 면에서 뛰어난 성과를 낼 수 있다. 김두호 퀄리타스반도체 대표는 “이번 2nm GAAFET 공정 기반의 IP 솔루션 개발과 공급은...

2024-09-09 11:00
인텔, 일본에 반도체 R&D센터 설립…장비ㆍ소재 협력 강화

나노미터 반도체 수가 적을 수로 칩에 더 많은 트랜지스터를 집어넣을 수 있어 컴퓨팅 파워가 올라간다. EUV 장비의 가격은 1대당 2억7300만 달러(약 3700억 원)가 넘는다. AIST가 이 시설을 운영하고, 인텔은 EUV 노광장비를 사용한 반도체 제조 노하우 등을 제공하기로 했다. 일본 기업들은 이용료를 내고 EUV 노광장비를 사용해 반도체 시험 제작 등을 한다.

2024-09-03 17:07
TSMC, 미국 애리조나에 2나노 이상 첨단 3공장 건설…반도체 경쟁력 강화

2나노 공정은 현존하는 가장 앞선 기술 중 하나로, 반도체 제조에서 더 많은 트랜지스터를 작은 칩에 집적할 수 있다. 3일 대만 연합보 등에 따르면 TSMC는 2029년 말까지 애리조나주 공장 건설을 완료해 최첨단 반도체 생산을 시작한다. 소식통은 TSMC가 이미 400억 달러(약 53조6000억 원)를 투입해 애리조나주 피닉스에 팹(fab·반도체 생산공장) 두 곳을 건설...

2024-09-03 14:43
SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발 "D램 리더십 지킨다"

더 작은 트랜지스터에서 더 높은 성능과 낮은 전력을 지원한다. D램 기술력은 ‘미세공정’ D램은 속도와 용량 측면에서 지속적으로 발전하고 있다. 2020년에 출시된 DDR5는 데이터 전송 속도 3200~6400Mbps, 동작 전압 1.1c, 지원용량 8~32기가바이트(GB)의 특징을 갖는다. D램은 나노미터(nm) 단위로 반도체 칩 회로 선폭을 줄이는 미세공정으로 생산성 경쟁이...

2024-08-29 15:07
LG디스플레이 ‘메타 테크놀로지 2.0’, ‘IMID 대상’ 수상

대표적으로 고효율 OLED 소자 개발, TFT(박막 트랜지스터) 백플레인 안정성 개선 등을 통해 OLED 패널의 성능을 향상하는 다수의 연구 성과를 발표한다. OLED TV 패널이 LCD 대비 유해 블루라이트가 적어 수면 호르몬인 멜라토닌 분비에 미치는 영향을 최소화해 건강한 수면 활동에 도움이 된다는 연구 결과도 공개한다. 인공지능(AI)∙머신러닝을 활용한 제조...

2024-08-21 10:00
디스플레이 미래가 여기에…삼성‧LG, 'IMID 2024' OLED 첨단 기술 대공개 [종합]

대표적으로 고효율 OLED 소자 개발, TFT(박막 트랜지스터) 백플레인 안정성 개선 등을 통해 OLED 패널의 성능을 향상하는 다수의 연구 성과를 발표한다. 이밖에도 LG디스플레이는 올해의 디스플레이 대상을 수상한 TV 및 게이밍 OLED 패널을 비롯해, SDV(소프트웨어중심차량)에 최적화된 차량용 디스플레이, VR(가상현실)과 스마트워치용 초고휘도 올레도스...

2024-08-21 09:55
“AI는 디스플레이에 기회”…삼성D‧LGD “저전력 제품 개발할 것”

윤 부사장은 향후 LG디스플레이의 기술 로드맵과 관련해 “디스플레이 수명 주기를 늘리려 노력하고, 텐덤OLED 구조를 개선해 색상을 개선하겠다”며 “IT 분야에 들어가는 디스플레이의 전력을 낮추기 위해 텐덤 구조를 바꾸고 옥사이드박막트랜지스터(TFT)를 도입하는 등 전력 소비를 줄여 나가겠다”고 말했다. AI 기술에 대해서는 이미 디스플레이 연구‧개발...

2024-08-13 15:02
하나증권 "ASML, 대중국 수출제재 영향…중국 비중 20% 초과"

또 두 연구원은 "ASML은 하이-뉴메리컬어퍼처 극자외선(High-NA EUV)의 성장성을 강조했다"며 "High-NA EUV 장비는 Low-NA EUV 대비 트랜지스터 밀도를 3배 증가시킬 수 있는 것으로 알려졌다"고 했다. 이어 "현재 모든 EUV 고객사가 High-NA EUV를 주문했으며, 일부 메모리 고객사는 2025~2026년 High-NA EUV를 도입할 것으로 전망했다...

2024-07-18 08:08
유창식 삼성전자 부사장 “HBM4 차질없이 개발 중”

4F 스퀘어는 트랜지스터 구조를 수평이 아닌 수직으로 쌓아 올리는 차세대 기술이다. 수평 구조 대비 더 많은 정보를 처리할 수 있어 업계에서 '게임 체인저'로 꼽힌다. 대만 반도체 기업 미디어텍과 동작 검증한 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5X는 양산 시점에 관해서는 “현재 검증만 완료된 것”이라며 “양산은 시간이 좀 필요하다”고 답했다....

2024-07-16 17:08
한국IR협의회 "시지트로닉스, '나노 초'급 능력 보유…매출 다변화 기대감↑"

김 연구원은 "시지트로닉스는 반도체 업종의 시장 변화에 대응하여 질화갈륨(GaN) 소재를 활용한 전력반도체를 신규사업으로 적극적으로 추진 중이며, 과거 GaN 라디오파(RF) 트랜지스터 개발에 주력하여 우수한 성과를 거둔 바 있다"라며 "자체 파운드리 라인 M-FAB을 통해 사업 다변화를 추진 중"이라고 밝혔다. 더불어 "국내...

2024-07-16 09:01
“반도체 생태계 확장해 고객 확보”…삼성 파운드리, 맞춤형 턴키 솔루션 강화 [종합]

GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술이다 기존 핀펫(FinFET) 대비 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율이 높다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 적용한 3㎚ 양산에 성공한 바 있으며, 현재 3㎚ 2세대 공정도 계획대로 순항 중이다. 또 삼성전자는 한국의 우수한...

2024-07-09 16:32
"국내 시스템반도체 생태계 강화"…삼성, 한국 '파운드리 포럼&세이프 포럼 2024' 개최

GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술로, 기존 핀펫(FinFET) 대비 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율이 높다. 삼성전자는 이날 국내 DSP 업체인 가온칩스와의 협력으로 최첨단 공정 기반 턴키 서비스 수주 성과도 밝혔다. 삼성전자는 일본 프리퍼드 네트웍스(PFN)의 2나노...

2024-07-09 14:00
HBM 다음 기술 찾는 삼성… 파운드리·낸드서도 새 기회 발굴 [재도약 나선 삼성전자]

GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술로, 기존 핀펫(FinFET) 대비 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율이 높다. 삼성전자는 GAA 기반 2㎚ 공정 로드맵에서 후면전력공급 기술(BSPDN)을 적용한 'SF2Z' 공정을 추가해 2027년까지 도입할 계획이다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼...

2024-06-27 06:00
세종대 제15대 총장에 엄종화 교수 선임

대외협력처장, 교무처장, 교학부총장 등 주요 보직을 역임하고 현재 행정부총장을 맡고 있다. 지난해 9월부터는 교육부 학술연구정책과의 램프(LAMP) 사업관리위원으로 활동하고 있다. 엄 신임총장은 세계 최초로 스핀 트랜지스터를 개발해 2009년 과학기술계 10대 뉴스에 선정된 바 있으며, Science 논문 2편을 게재하는 등 꾸준히 연구 활동을 해 온 물리학자다.

2024-06-26 10:11
"2027년 2나노 신공정 도입"…삼성전자, 美 파운드리 포럼서 비전 제시

삼성전자는 3㎚ 공정에 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며, 올해 하반기에 2세대 3㎚ 공정 양산을 시작할 계획이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다. 삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유하고 있는...

2024-06-13 07:34
미국, 중국 AI반도체 기술 접근 차단 강화...“GAA·HBM 수출차단 검토”

GAA는 반도체의 기존 트랜지스터 구조인 핀펫의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술이다. 엔비디아와 인텔, AMD 등은 삼성전자, TSMC와 함께 내년 GAA 기술을 적용한 반도체를 대량으로 생산할 예정이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 만든 고성능 메모리다. SK하이닉스, 미국 마이크론테크놀로지 등이 만드는 이 반도체는 AI 가속기에 쓰인다. 다만 현재...

2024-06-12 11:10
[특징주] 주성엔지니어링, 세계최초 EUV 대체 차세대 반도체 양산 공정 구현 성공...애플·인텔 등 논의 시작 ‘강세’

기판에 촘촘히 트랜지스터를 붙여야 했던 실리콘 반도체의 미세화한계를 극복할 대안 원천기술이 상용화 단계에 접어들었다는 의미가 있다. 해당 공정을 활용하면 차세대 디스플레이인 마이크로 발광다이오드(LED)와 차세대 반도체 기판인 유리기판의 수율을 획기적으로 끌어올릴 수 있다. 이에 애플과 인텔을 비롯한 글로벌 테기업들로부터 러브콜이 예상된다....

2024-06-05 11:12
[이투데이 말투데이] 거어지탄(車魚之歎)/커버드콜

☆ 존 바딘 명언 “다음번 시상식엔 꼭 같이 오겠다.” 트랜지스터 개발로 유명한 미국 물리학자. 초전도이론을 완성한 그는 1956년 노벨물리학상을 받았다. 하버드에 다니는 두 아들은 공부에 방해될까 데려가지 않고 딸과 부인만 시상식에 참석했다. 스웨덴 국왕 구스타프 6세가 왜 데려오지 않았느냐는 질문에 그가 한 대답. 1972년 그는 노벨물리학상을 또 받았다....

2024-05-23 05:00
"MPW 기회 지속 확대"…삼성 파운드리, 국내 팹리스 산실 역할 ‘톡톡’

해당 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 전기가 통하지 않는 절연막을 만들고 그 위에 트랜지스터를 구성하는 기술로, 트랜지스터 동작 시 발생하는 누설 전류를 크게 줄일 수 있다. 삼성 파운드리는 2021년부터 2026년까지 28㎚ MPW 서비스를 총 15회 무상 제공해 600개 반도체 제작을 지원할 예정이다. 이규복 한국전자기술연구원 부원장은 “국내에 파운드리 서비스를...

2024-05-20 14:53
삼성DㆍLGD 차세대 기술 논문, SID ‘올해의 우수 논문’ 선정

아울러 △중소형사업부의 김태웅 프로와 연구팀의 ‘초저곡률 구현을 위한 플렉서블 박막트랜지스터 기술’ △이동현 프로와 디스플레이연구소 모듈연구팀의 ‘플렉서블 디스플레이 베젤 최소화 연구’ △정우현 프로와 생산기술연구소 설비요소기술개발팀의 ‘고해상도 마이크로디스플레이를 위한 글래스 마스크 연구’가 우수 논문으로 선정됐다....

2024-05-12 13:51

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10