![](https://img.etoday.co.kr/pto_db/2015/05/20150507103304_631637_500_227.jpg)
7일 첫 삽을 뜬 삼성전자 평택 반도체 생산라인 건설 사업은 전형적인 미래형 투자다.
22년 연속 메모리반도체 세계 시장 1위를 달리고 있는 삼성전자는 단일 반도체 생산라인으로는 사상 최대 규모인 15조6000억원을 투자해 40년 미래의 밑거름으로 활용할 방침이다.
반도체는 휴대폰과 함께 삼성을 초일류 기업으로 도약하게 만든 핵심 동력이다. 삼성은 1974년 “전자 사업을 하려면 반도체가 반드시 필요하다”는 고(故) 이병철 창업주가 한국반도체를 인수하면서 반도체 사업에 뛰어들었다. 당시 35세의 이건희 이사는 반도체 사업에서 삼성의 미래가 달렸음을 확신하고 경영권 승계 후에도 아낌없는 투자를 이어갔다.
삼성전자의 반도체 역사는 곧 세계 반도체 산업의 성장사다. 삼성전자는 1992년 8월 세계 최초로 64Mb D램을 개발한 데 이어 1994년 8월 다시 세계에서 처음 256Mb D램 개발에 성공했다. 당시 미국, 일본의 경쟁사보다 6개월에서 1년 가까이 앞선 기술적인 진보였다. 삼성전자는 2년 뒤 1Gb D램을 선보이며 경쟁사들과의 기술 격차를 완전히 벌렸다.
삼성전자는 이번 평택 반도체 생산라인에서 최신 제품을 생산해 최근 수요가 급증하고 있는 모바일, 서버 시장의 리더십을 한층 강화하고, 차세대 사물인터넷(IoT) 시장까지 선점할 방침이다. 더불어 시스템 반도체 분야에서 새로운 도약의 계기를 맞이하고 있는 만큼 평택 반도체 라인을 전진기지로 삼아 세계 반도체 시장에서 새로운 도전을 펼칠 계획이다.
삼성전자는 2017년 상반기 평택 반도체 생산라인 1기를 본격 가동할 예정이다. 다만 아직까지 D램, 낸드플래시, 시스템LSI 중 어떤 제품을 생산할 것인지 확정되지 않았다. 삼성전자 측은 시황을 본 후에 결정할 것이라고 말을 아꼈다.
![](https://img.etoday.co.kr/pto_db/2015/05/20150507101815_631599_500_249.jpg)
업계는 반도체 시황을 고려해 여러 품목을 함께 생산하는 하이브리드 방식을 채택할 것이라는 관측이 많다. 삼성전자는 현재 기흥과 화성에서 각각 메모리반도체, 시스템반도체를 양산하고 있다. 미국 오스틴과 중국 시안에서는 시스템반도체, 낸드플래시를 생산하고 있다.
일각에서는 평택 라인 생산 비중이 시스템LSI 쪽으로 크게 치우칠 것이라는 시각도 있다.
현재 D램 시장에서의 제품 공급과 수요 곡선은 거의 일치한다. 이 같은 상황에서 지난해 기준 세계 D램 시장의 40.4%를 점유한 삼성전자가 평택 공장에서 대규모 D램 생산에 나설 경우 평균판매단가(ASP) 하락은 불가피 하다는 것. 더불어 삼성전자가 최근 화성 공장 시스템반도체 생산 17라인 중 일부를 D램 생산라인으로 활용하기로 한 만큼 더 이상의 증설은 불필요하지 않겠냐는 시각이다.
아울러 낸드플래시의 경우도 중국 시안 공장의 생산 비중이 빠르게 확대되고 있어 평택 공장의 메인스트림으로 굳이 가져갈 필요가 없을 것이라는 분석이다.
반면 시스템LSI는 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위인 대만 TSMC보다 우수한 기술력을 확보하고 있다. 또한 모바일 어플리케이션(AP) 시장 규모가 계속 커지고 있는 점도 긍정적이다.
삼성전자는 지난해 세계 최초 14나노 핀펫 공정 양산을 계기로 TSMC에 뺏겼던 주요 고객사인 퀄컴, 애플을 다시 찾았다. 16나노 공정으로 생산한 TSMC의 시스템LSI보다 성능이 워낙 우수하다보니 자연스레 얻어진 성과다.
업계 한 관계자는 "반도체 시장에서 경쟁 우위를 선점한 삼성전자 입장에서 조급할 이유가 없을 것"이라며 "급변하는 반도체 시장 환경에 유연하게 대처할 수 있는 가장 안전한 방법을 선택할 가능성이 크다"고 전망했다.